'โตชิบา อิเล็กทรอนิก ดีไวเซส แอนด์ สตอเรจ' เปิดตัวมอสเฟต

[Beer625]

'โตชิบา อิเล็กทรอนิก ดีไวเซส แอนด์ สตอเรจ' เปิดตัวมอสเฟตกำลังชนิด N-channel ระดับ 150V ใช้กระบวนการรุ่นใหม่ล่าสุดเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการจ่ายกำลัง


โตชิบา อิเล็กทรอนิก ดีไวเซส แอนด์ สตอเรจ คอร์ปอเรชัน (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation) หรือ 'โตชิบา' (Toshiba) ได้เปิดตัวมอสเฟตกำลัง (Power MOSFET) ชนิด N-channel ระดับ 150V ในชื่อรุ่นว่า 'TPH9R00CQH' (https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html) ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นใหม่ล่าสุด (*1) อย่าง 'U-MOSX-H' เหมาะสำหรับการใช้ในการสับเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม รวมถึงอุปกรณ์ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานเพื่อการสื่อสาร โดยจะเริ่มจัดส่งในวันที่ 31 มีนาคม

รูปภาพ: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203249042/_prw_PI1fl_As0mw3xi.jpg

TPH9R00CQH มีค่าความด้านทานระหว่างขาเดรนกับซอร์ส (drain-source on-resistance) ลดลงประมาณ 42% เมื่อเทียบกับ TPH1500CNH ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์กลุ่ม 150V ที่ใช้กระบวนการรุ่นปัจจุบันอย่าง U-MOSVIII-H การปรับโครงสร้างของมอสเฟตรุ่นใหม่ให้มีประสิทธิภาพขึ้นนั้น ได้เข้ามาช่วยปรับปรุงส่วนได้ส่วนเสีย (*2) ระหว่างค่าความด้านทานระหว่างขาเดรนกับซอร์สและลักษณะการชาร์จทั้งสอง (*3) ทำให้เกิดการสูญเสียต่ำ นอกจากนี้ แรงดันสไปค์ระหว่างเดรนกับซอร์สในขณะที่ทำการสับเปลี่ยนก็ลดลงด้วย ซึ่งช่วยลดสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI) ในการสับเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟ อุปกรณ์รุ่นใหม่นี้มาพร้อมแพ็กเกจติดตั้งบนพื้นผิว 2 แบบด้วยกัน ได้แก่ SOP Advance และแบบที่ได้รับความนิยมมากกว่าอย่าง SOP Advance (N)

นอกจากนี้ โตชิบายังมอบเครื่องมือที่รองรับการออกแบบวงจรเพื่อใช้สับเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟด้วย โดยนอกเหนือจากรุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบยืนยันการทำงานของวงจรได้ในเวลาไม่นานแล้ว ยังมีรุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูง ซึ่งสร้างการเปลี่ยนแปลงไฟฟ้าชั่วครู่ซ้ำได้อย่างแม่นยำ

โตชิบาจะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์มอสเฟตกำลังที่เพิ่มประสิทธิภาพในการจ่ายไฟของอุปกรณ์ ด้วยการลดการสูญเสีย เพื่อช่วยลดการใช้ไฟฟ้า

หมายเหตุ:

(*1) จากการสำรวจของโตชิบาเมื่อเดือนมีนาคม 2565

(*2) ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวได้ปรับปรุงค่าความด้านทานระหว่างขาเดรนกับซอร์ส x ค่าชาร์จสวิตช์ที่เกตได้ประมาณ 20% และปรับปรุงค่าความด้านทานระหว่างขาเดรนกับซอร์ส x ค่าชาร์จเอาท์พุตได้ประมาณ 28% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์รุ่นปัจจุบันอย่าง TPH1500CNH (ซีรีส์ U-MOSVIII-H)

(*3) ค่าชาร์จสวิตช์ที่เกตและค่าชาร์จเอาท์พุต

การใช้งาน

- แหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร

- สับเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟ (ตัวแปลง DC-DC ศักยภาพสูง เป็นต้น)

คุณลักษณะ

- คุณลักษณะยอดเยี่ยม โดยมีการสูญเสียต่ำ

(แลกเปลี่ยนระหว่างค่าความด้านทานกับค่าชาร์จสวิตช์ที่เกตและค่าชาร์จเอาท์พุต)

- ค่าความด้านทานต่ำ: RDS(ON)=9.0 มิลลิโอห์ม (สูงสุด) @VGS=10V

- ระดับอุณหภูมิแชนแนลสูง: Tch (สูงสุด)=175C